کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10409853 | 894155 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wavelength selection for the far-infrared p-Ge laser using etched silicon lamellar gratings
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Wavelength selection for the far-infrared p-Ge laser using etched silicon lamellar gratings Wavelength selection for the far-infrared p-Ge laser using etched silicon lamellar gratings](/preview/png/10409853.png)
چکیده انگلیسی
A lamellar mirror made from Si wafer by anisotropic chemical etching and coated with gold has been demonstrated as an intracavity wavelength selector for the far-infrared p-Ge laser. The etching process produces rectangular grooves with precisely predetermined depth and 100nm surface smoothness. This lamellar-grating structure defines the resonant laser wavelength within the broad tuning range of the p-Ge laser. Single wavelength laser operation with this mirror has been demonstrated on the third-order resonance with an active cavity finesse of at least 0.09.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 37, Issue 2, March 2005, Pages 87-91
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 37, Issue 2, March 2005, Pages 87-91
نویسندگان
T.W. Du Bosq, R.E. Peale, E.W. Nelson, A.V. Muravjov, D.A. Walters, G. Subramanian, K.B. Sundaram, C.J. Fredricksen,