کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10409923 | 894192 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Piezoresistance response of thin film manganin sensors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Piezoresistance response of thin film manganin sensors Piezoresistance response of thin film manganin sensors](/preview/png/10409923.png)
چکیده انگلیسی
Thin film manganin sensors aimed at high-pressure measurement are prepared by DC magnetron sputtering. The structure and morphology of the films are analyzed by XRD and SEM techniques. The piezoresistance coefficient, k, is obtained through dynamic loading experiments. It is found that heat treatment leads to better manganin sensor piezoresistance response without manganese element volatilization. The experimental results show that annealing at higher temperature is helpful for the growth of larger size grains and decrease of defects in the thin films, this determining the improvement of k. The k of the thin films equals that of the foil-like.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 118, Issue 2, 28 February 2005, Pages 222-225
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 118, Issue 2, 28 February 2005, Pages 222-225
نویسندگان
Teng Lin, Yang Bang Chao, Du Xiao Song, Zhou Hong Ren,