کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10565836 | 972128 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Experimental and numerical analysis of channel-length-dependent electrical properties in bottom-gate, bottom-contact organic thin-film transistors with Schottky contact
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 12, December 2014, Pages 3681-3687
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 12, December 2014, Pages 3681-3687
نویسندگان
Kei Noda, Yasuo Wada, Toru Toyabe,