| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 10565836 | 972128 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Experimental and numerical analysis of channel-length-dependent electrical properties in bottom-gate, bottom-contact organic thin-film transistors with Schottky contact
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													شیمی
													شیمی (عمومی)
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 12, December 2014, Pages 3681-3687
											Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 12, December 2014, Pages 3681-3687
نویسندگان
												Kei Noda, Yasuo Wada, Toru Toyabe,