کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10565936 | 972133 | 2014 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Facile modification of Cu source-drain (S/D) electrodes for high-performance, low-voltage n-channel organic thin film transistors (OTFTs) based on C60
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- High-performance C60 based OTFTs with low operation voltage.
- Low-cost Cu modified by PEI as S/D electrodes.
- Electron mobility up to 3.2Â cm2/VÂ s is obtained on modified device.
- Improved interface property between Cu and C60 upon interface modification.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 11, November 2014, Pages 3259-3267
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 11, November 2014, Pages 3259-3267
نویسندگان
Yaorong Su, Weiguang Xie, Jianbin Xu,