کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10565999 | 972154 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Polymer field effect transistors made by laser patterning
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Polymer field effect transistors (PFETs) were made from polymeric semiconductors and insulators on flexible polymeric substrates. The electrodes were patterned from thin films of conducting polymers or metals using an excimer laser. This technique yields highly resolved source and drain electrode patterns with channel lengths below 10 μm which is a preposition for fast transistors and electronic circuits. Together with the available processing rates this technique makes a well-balanced compromise between pattern resolution and processing demands. Moreover, these PFETs show a long-term stability of more than two years without any special protection.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 6, Issue 4, August 2005, Pages 161-167
Journal: Organic Electronics - Volume 6, Issue 4, August 2005, Pages 161-167
نویسندگان
M. Schrödner, R.-I. Stohn, K. Schultheis, S. Sensfuss, H.-K. Roth,