کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566002 | 972154 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fullerene based n-type organic thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Significant progress has been made in the area of p-type organic field effect transistors while progress in developing n-type materials and devices has been comparatively lacking, a limiting factor in the pursuit to develop complementary organic electronic circuits. Given the need for n-type organic semiconductors we have carried out studies using two different fullerene molecules, C60 and C70. Here, we report mobilities for C60 ranging from 0.02Â cm2/VÂ s up to 0.65Â cm2/VÂ s (depending on channel length), and mobilities from 0.003Â cm2/VÂ s up to 0.066Â cm2/VÂ s for C70. All devices were fabricated with organic films deposited under high vacuum but tested at ambient pressures under nitrogen.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 6, Issue 4, August 2005, Pages 182-187
Journal: Organic Electronics - Volume 6, Issue 4, August 2005, Pages 182-187
نویسندگان
Joshua N. Haddock, Xiaohong Zhang, Benoit Domercq, Bernard Kippelen,