کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566077 | 972196 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modelling and simulation of gate leakage currents of solution-processed OTFT
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Modelling and simulation of gate leakage currents of solution-processed OTFTs.
- We analyze gate leakage currents and show their influence on a circuit.
- A model for electrical simulation is developed and parameter extraction presented.
- Simulation enhancement is presented by comparison with measurement data.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 3, March 2014, Pages 829-834
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 3, March 2014, Pages 829-834
نویسندگان
Stefan Hengen, Milan Alt, Gerardo Hernandez-Sosa, Jürgen Giehl, Uli Lemmer, Norman Mechau,