کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566151 | 972206 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
AC characterization of organic thin-film transistors with asymmetric gate-to-source and gate-to-drain overlaps
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Dynamic characterization of OTFTs is demonstrated by S-parameter measurements. ⺠OTFT small-signal model simulations fit the S-parameter measurements closely. ⺠Impact of contact misalignment on the dynamic performance of OTFTs is investigated. ⺠Misalignment is controlled by an OTFT process that is based on silicon stencil masks. ⺠Actual contact misalignment of OTFTs can be extracted from S-parameter measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 5, May 2013, Pages 1318-1322
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 5, May 2013, Pages 1318-1322
نویسندگان
Tarek Zaki, Reinhold Rödel, Florian Letzkus, Harald Richter, Ute Zschieschang, Hagen Klauk, Joachim N. Burghartz,