کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10566288 972312 2014 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Achieving good bias stress reliability in organic transistor with vertical channel
ترجمه فارسی عنوان
دستیابی به قابلیت اطمینان استحکام تعصب خوب در ترانزیستور آلی با کانال عمودی
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
پیش نمایش مقاله
دستیابی به قابلیت اطمینان استحکام تعصب خوب در ترانزیستور آلی با کانال عمودی
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 7, July 2014, Pages 1531-1535
نویسندگان
, , ,