کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566348 | 972316 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Overcoming the “retention vs. voltage” trade-off in nonvolatile organic memory: Ag nanoparticles covered with dipolar self-assembled monolayers as robust charge storage nodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Organic non-volatile nano-floating gate memory (NFGM) devices are explored.
- Ag nanoparticles (Ag-NPs) are embedded within gate insulators as storage nodes.
- Dipolar self-assembled monolayers (d-SAMs) covering Ag-NPs suppress memory loss.
- The proposed NFGMs exhibit long retention and low operation voltage simultaneously.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 12, December 2013, Pages 3260-3266
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 12, December 2013, Pages 3260-3266
نویسندگان
Seungwon Lee, Jinhwan Lee, Hyunsoo Lee, Young Ji Yuk, Mincheol Kim, Hanul Moon, Jaewon Seo, Yongsup Park, Jeong Young Park, Seung Hwan Ko, Seunghyup Yoo,