کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566358 | 972316 | 2013 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Light-induced enhancement of quantum dot photovoltaic devices with nitrogen doped titanium oxide capping layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Light-induced enhancement of quantum dot photovoltaic devices with nitrogen doped titanium oxide capping layers Light-induced enhancement of quantum dot photovoltaic devices with nitrogen doped titanium oxide capping layers](/preview/png/10566358.png)
چکیده انگلیسی
Efficiency dependence on light anneal cycles and device configuration TiOxNy is first time used as an interfacial layer in CdSe QD/P3HT solar cell, which exhibits extraordinary efficiency enhancement after a unique light anneal process due to improved charge collection and association rate. As a diffusion barrier, TiOxNy shows significant device stability improvement by blocking O2, moisture, and metal atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 12, December 2013, Pages 3339-3347
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 12, December 2013, Pages 3339-3347
نویسندگان
Jialin Yu, Jilin Xia, Inho Kim, Benjamin L. French, Hanna M. Haverinen, T.L. Alford, Ghassan E. Jabbour,