کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566696 | 972341 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Solution-processed near-infrared polymer photodetectors with an inverted device structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Solution processed polymer photodetectors with an inverted device structure were fabricated. ⺠Inverted polymer photodetectors have spectral response from UV-visible to near infrared. ⺠ZnOx and MoO3 buffer layers were used to break the symmetry of polymer diodes. ⺠We found that both photocurrent and dark current were affected by the processing additive.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 12, December 2012, Pages 2929-2934
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 12, December 2012, Pages 2929-2934
نویسندگان
Xilan Liu, Hangxing Wang, Tingbin Yang, Wei Zhang, I-Fan Hsieh, Stephen Z.D. Cheng, Xiong Gong,