کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566708 | 972341 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanocrystal V2O5 thin film as hole-extraction layer in normal architecture organic solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Crystal V2O5 nanoparticles were synthesized by hydrolysis method. ⺠Conductivity and work function of nanocrystal V2O5 films were studied. ⺠Comparable performance was achieved for V2O5-P and VOx-S buffered devices. ⺠V2O5-P buffered device has lower sheet resistance than VOx-S buffered device. ⺠The applicability of V2O5-P film was demonstrated in Si-PCPDTBT:[70]PCBM devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 12, December 2012, Pages 3014-3021
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 12, December 2012, Pages 3014-3021
نویسندگان
Hai-Qiao Wang, Ning Li, Nusret Sena Guldal, Christoph J. Brabec,