| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 10566742 | 972341 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Dark current and photovoltage models on the formation of depletion region in C60/NPB organic heterojunctions
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													شیمی
													شیمی (عمومی)
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												⺠We study the C60/NPB organic heterojunction photodiodes (OPD) by adjusting the thicknesses of semiconductor layers. ⺠Theoretical models are proposed to numerically fit the dark current and photovoltage of different OPD structures. ⺠The critical thicknesses of C60/NPB heterojunction are deduced to be 5 nm/70 nm in the dark and 8 nm/60 nm in light. ⺠Comparison of the performance parameters of C60/NPB OPDs verifies the correctness of the fitting results. ⺠The finally optimized structure of C60/NPB heterojunction is 8 nm/70 nm.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 12, December 2012, Pages 3276-3283
											Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 12, December 2012, Pages 3276-3283
نویسندگان
												Qiujian Sun, Guifang Dong, Dong Li, Lian Duan, Liduo Wang, Yong Qiu,