کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566772 | 972350 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High current conduction with high mobility by non-radiative charge recombination interfaces in organic semiconductor devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠A unique multiple p-n junction structure for high current conduction. ⺠Voltage reduction way in organic semiconductor device. ⺠High current conduction by non-radiative charge recombination interfaces. ⺠A new concept for mobility increase by charge recombination interfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 6, June 2012, Pages 939-944
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 6, June 2012, Pages 939-944
نویسندگان
Woo Sik Jeon, Jung Soo Park, Ling Li, Dae Chul Lim, Young Hoon Son, Min Chul Suh, Jang Hyuk Kwon,