کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566808 | 972351 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-aligned patterning method of poly(aniline) for organic field-effect transistor gate electrode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Self-aligned patterning method of poly(aniline) for organic field-effect transistor gate electrode Self-aligned patterning method of poly(aniline) for organic field-effect transistor gate electrode](/preview/png/10566808.png)
چکیده انگلیسی
⺠A new technique to facilitate self-alignment of the electrodes in organic field-effect transistor fabrication. ⺠A new photoacid generator material suitable for patterning poly(aniline) films was found. ⺠The concept can be used to make also other structures than transistors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 8, August 2012, Pages 1308-1314
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 8, August 2012, Pages 1308-1314
نویسندگان
Salme Jussila, Maria Puustinen, Tomi Hassinen, Juuso Olkkonen, Henrik G.O. Sandberg, Kimmo Solehmainen,