کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566814 | 972351 | 2012 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fermi level positioning in organic semiconductor phase mixed composites: The internal interface charge transfer doping model
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We introduce the internal interface charge transfer doping model. ⺠SXPS on TCNQ doped CuPc and on TCNQ/CuPc interfaces show similar Fermi level shifts. ⺠SXPS on WO3 doped CuPc and on WO3/CuPc interfaces show similar Fermi level shifts. ⺠The similar Fermi level shifts are explained by the formation of internal interfaces. ⺠STEM on WO3 doped CuPc directly shows the presence of internal interfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 8, August 2012, Pages 1356-1364
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 8, August 2012, Pages 1356-1364
نویسندگان
Thomas Mayer, Corinna Hein, Eric Mankel, Wolfram Jaegermann, Mathis M. Müller, Hans-Joachim Kleebe,