کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566927 | 972375 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tuning on threshold voltage of organic field-effect transistor with a copper oxide layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠OFET based on pentacene with CuO embeded layer is reported. ⺠Formation of CT complexes lead to the improving performance of the device. ⺠Electrons are trapped in CuO act as a floating gate voltage which influences the VTH. ⺠The VTH of CuO-embeded OFET depended on the trapped electron population in CuO. ⺠Systematic tuning on VTH of CuO-embeded OFET is achieved by adjusting positive VGS0. ⺠Trapped electrons are hard to release, VTH are stable under constant-voltage bias-stress.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 12, Issue 3, March 2011, Pages 429-434
Journal: Organic Electronics - Volume 12, Issue 3, March 2011, Pages 429-434
نویسندگان
Guozheng Nie, Junbiao Peng, Linfeng Lan, Ruixia Xu, Jianhua Zou, Yong Cao,