کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10566927 972375 2011 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tuning on threshold voltage of organic field-effect transistor with a copper oxide layer
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Tuning on threshold voltage of organic field-effect transistor with a copper oxide layer
چکیده انگلیسی
► OFET based on pentacene with CuO embeded layer is reported. ► Formation of CT complexes lead to the improving performance of the device. ► Electrons are trapped in CuO act as a floating gate voltage which influences the VTH. ► The VTH of CuO-embeded OFET depended on the trapped electron population in CuO. ► Systematic tuning on VTH of CuO-embeded OFET is achieved by adjusting positive VGS0. ► Trapped electrons are hard to release, VTH are stable under constant-voltage bias-stress.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 12, Issue 3, March 2011, Pages 429-434
نویسندگان
, , , , , ,