کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566950 | 972375 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanism of the Fermi level pinning at organic donor-acceptor heterojunction interfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Mechanism of the Fermi level pinning at organic donor-acceptor heterojunction interfaces Mechanism of the Fermi level pinning at organic donor-acceptor heterojunction interfaces](/preview/png/10566950.png)
چکیده انگلیسی
⺠Model OOH system to study the interfacial energy level alignment mechanism. ⺠Revealing the Fermi level pinning mechanism at the OOH interfaces. ⺠Revisiting the“band-bending like“ behaviors at the OOH interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 12, Issue 3, March 2011, Pages 534-540
Journal: Organic Electronics - Volume 12, Issue 3, March 2011, Pages 534-540
نویسندگان
Hong Ying Mao, Fabio Bussolotti, Dong-Chen Qi, Rui Wang, Satoshi Kera, Nobuo Ueno, Andrew Thye Shen Wee, Wei Chen,