کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10629258 991047 2016 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Grain growth in weak electric fields in strontium titanate: Grain growth acceleration by defect redistribution
ترجمه فارسی عنوان
رشد دانه در میدان های الکتریکی ضعیف در تیتانات استرونتیوم: شتاب رشد دانه توسط بازتوزیع نقص
کلمات کلیدی
فیلد به رشد دانه کمک کرد عیوب، تحرک مرز دانه تیتانات استرانسیم، ناهنجاری رشد دانه
ترجمه چکیده
افزایش تحرک مرزی در الکترود منفی به دلیل توزیع مجدد نقص ناشی از میدان الکتریکی منجر می شود. جای خالی اکسیژن به سمت الکترود منفی مهاجرت می کند، در حالی که جای خالی استرانسیوم در الکترودهای مثبت انباشته می شود. این توزیع مجدد نقص در رشد دانه وابسته به شیمی در معرض تیتانات استونتیوم است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش مقاله
رشد دانه در میدان های الکتریکی ضعیف در تیتانات استرونتیوم: شتاب رشد دانه توسط بازتوزیع نقص
چکیده انگلیسی
The enhancement of the boundary mobility at the negative electrode is attributed to electric field induced defect redistribution. Oxygen vacancies migrate towards the negative electrode, while strontium vacancies accumulate at the positive electrode. This defect redistribution is connected to the defect chemistry dependent grain growth in strontium titanate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of the European Ceramic Society - Volume 36, Issue 11, September 2016, Pages 2773-2780
نویسندگان
, , ,