| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 10629297 | 991051 | 2016 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Microstructural evolution at interfaces of thermal barrier coatings during isothermal oxidation
												
											ترجمه فارسی عنوان
													تکامل میکرو سازگار در رابط های پوشش های حرارتی در طول اکسیداسیون ایزوترمال 
													
												دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی مواد
													سرامیک و کامپوزیت
												
											چکیده انگلیسی
												Using transmission electron microscopy, we investigate microstructural evolution at interfaces of a plasma sprayed thermal barrier coating system with an yttria-stabilized zirconia top coat and a NiCrAlY bond coat after isothermal oxidation at 1100 °C for up to 50 h. Interestingly, thermally grown oxide (TGO) layers split into two sub-layers. In principle, one of the two sub-layers comprises a mixture of α-Al2O3, Cr2O3 and Ni(Al, Cr)2O4, while the other one consists of dense α-Al2O3 and Cr2O3. Main microstructural evolution of the TGO layers follows a similar sequence that: original phases â α-Al2O3 + Cr2O3 â α-Al2O3 + Cr2O3 + Ni(Al, Cr)2O4. Particularly, after 50 h oxidation, γ-Ni and NiO form in the upper TGO sub-layer at the top coat-bond coat interface, and γ-Ni and α-Cr form in the upper TGO sub-layer at the bond coat-substrate interface. Moreover, γ-Al and β-Ti precipitate at the TGO-substrate interface after 50 h oxidation.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of the European Ceramic Society - Volume 36, Issue 7, June 2016, Pages 1765-1774
											Journal: Journal of the European Ceramic Society - Volume 36, Issue 7, June 2016, Pages 1765-1774
نویسندگان
												Y.Z. Liu, S.J. Zheng, Y.L. Zhu, H. Wei, X.L. Ma, 
											