کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10631018 | 991534 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Switching and memory effects in partly crystallized amorphous Ge2Sb2Te5 films in a current controlled mode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We study switching and memory effects in amorphous GST films with crystalline inclusions. ⺠The current controlled mode allows conducting a thorough investigation of switching and filament formation. ⺠Obtained results agree with an electronic-thermal theory of the switching effect.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issue 23, 1 December 2012, Pages 3299-3303
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issue 23, 1 December 2012, Pages 3299-3303
نویسندگان
Nurlan Almasov, Nikita Bogoslovskiy, Nataly Korobova, Sergey Kozyukhin, Sergey Fefelov, Lyudmila Kazakova, Sergey Jakovlev, Konstantin Tsendin, Nazim Guseinov,