کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10631383 | 991713 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photo-induced phenomena in sputtered GeO2 films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Photo-induced phenomena in sputtered GeO2 films Photo-induced phenomena in sputtered GeO2 films](/preview/png/10631383.png)
چکیده انگلیسی
Macroscopic and microscopic changes in sputtered GeO2 films induced by band-gap light from an ArF excimer laser have been studied. When irradiated at 1Â atm, the film thickness increases, surface-roughness increases, refractive-index decreases, hygroscopic enhancements, and Ge-O-Ge distance increases. Irradiations in vacuum make these changes smaller or undetectable. These photo-induced changes are discussed from phenomenological and structural viewpoints, and compared with characteristics in GeO2-SiO2 and GeS2 films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 351, Issue 1, 1 January 2005, Pages 54-60
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 351, Issue 1, 1 January 2005, Pages 54-60
نویسندگان
Nobuaki Terakado, Keiji Tanaka,