کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10633653 | 993050 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ge islands and photonic crystals for Si-based photonics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report on the integration of Ge/Si self-assembled islands into two-dimensional photonic crystals for silicon-based photonics. The photonic crystals are processed by e-beam lithography on silicon-on-insulator substrates. The room temperature photoluminescence of the Ge islands is used to probe the photonic structures, especially those with defect-microcavities intentionally processed in the photonic crystals. We show that for H2 microcavities, the modes preferentially coupled out of the crystal plane are non-degenerate. We also show that the evolution of the microcavity photoluminescence with pump power depends on the air filling factor of the photonic crystals. A superlinear dependence is obtained for a large hole radius to period ratio.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 27, Issue 5, February 2005, Pages 792-798
Journal: Optical Materials - Volume 27, Issue 5, February 2005, Pages 792-798
نویسندگان
P. Boucaud, X. Li, M. El Kurdi, S. David, X. Checoury, S. Sauvage, C. Kammerer, S. Cabaret, V. Le Thanh, D. Bouchier, J.-M. Lourtioz, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel,