کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10633672 993050 2005 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence excitation spectroscopy of erbium in epitaxially grown Si:Er structures
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Photoluminescence excitation spectroscopy of erbium in epitaxially grown Si:Er structures
چکیده انگلیسی
Excitation of erbium photoluminescence in Si:Er epitaxial structures has been studied within a broad pump wavelength range (λex = 780-1500 nm). In all the investigated structures considerable signal of the 1.5 μm erbium photoluminescence has been observed at pump photon energies well below the silicon band-gap value (λex > 1060 nm) where seemingly no exciton generation occurs. Possible mechanism of erbium ion excitation in silicon without participation of excitons is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 27, Issue 5, February 2005, Pages 890-893
نویسندگان
, , , , , ,