کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10633672 | 993050 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence excitation spectroscopy of erbium in epitaxially grown Si:Er structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Excitation of erbium photoluminescence in Si:Er epitaxial structures has been studied within a broad pump wavelength range (λex = 780-1500 nm). In all the investigated structures considerable signal of the 1.5 μm erbium photoluminescence has been observed at pump photon energies well below the silicon band-gap value (λex > 1060 nm) where seemingly no exciton generation occurs. Possible mechanism of erbium ion excitation in silicon without participation of excitons is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 27, Issue 5, February 2005, Pages 890-893
Journal: Optical Materials - Volume 27, Issue 5, February 2005, Pages 890-893
نویسندگان
A.N. Yablonskiy, M.A.J. Klik, B.A. Andreev, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik, T. Gregorkiewicz,