کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10633679 993050 2005 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence enhancement in impurity doped β-FeSi2
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Photoluminescence enhancement in impurity doped β-FeSi2
چکیده انگلیسی
Effects of impurity-doping on photoluminescence (PL) properties of ion-beam synthesized (IBS) β-FeSi2 have been investigated. The Al- and B-doped β-FeSi2 showed increase of both PL intensity and activation energy (Ea) for non-radiative recombination path. On the contrary, the Mn and Co doping reduced the PL intensity and Ea. We found that the doping of Al and B atoms which occupy the Si sites in β-FeSi2 is a technique to enhance the 1.54 μm photoluminescence.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 27, Issue 5, February 2005, Pages 925-928
نویسندگان
, ,