کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10633679 | 993050 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence enhancement in impurity doped β-FeSi2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Effects of impurity-doping on photoluminescence (PL) properties of ion-beam synthesized (IBS) β-FeSi2 have been investigated. The Al- and B-doped β-FeSi2 showed increase of both PL intensity and activation energy (Ea) for non-radiative recombination path. On the contrary, the Mn and Co doping reduced the PL intensity and Ea. We found that the doping of Al and B atoms which occupy the Si sites in β-FeSi2 is a technique to enhance the 1.54 μm photoluminescence.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 27, Issue 5, February 2005, Pages 925-928
Journal: Optical Materials - Volume 27, Issue 5, February 2005, Pages 925-928
نویسندگان
Yoshikazu Terai, Yoshihito Maeda,