کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10634140 | 993418 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dislocation behavior in silicon crystal induced by laser shock peening: A multiscale simulation approach
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents a modified laser shock peening (LSP) technique to generate plastic deformation in silicon crystal. The induced dislocation activity in silicon crystal is studied by integrated shock dynamics and multiscale dislocation dynamics plasticity simulations. This LSP process can also be applied to other brittle materials to generate plastic deformation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 53, Issue 9, November 2005, Pages 1013-1018
Journal: Scripta Materialia - Volume 53, Issue 9, November 2005, Pages 1013-1018
نویسندگان
G.J. Cheng, M.A. Shehadeh,