کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10634264 | 993444 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gallium-doped silicon nitride nanowires sheathed with amorphous silicon oxynitride
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Gallium-doped silicon nitride nanowires sheathed with amorphous silicon oxynitride have been prepared on silicon substrates using GaN as the source of Ga. Ga plays important roles not only in the formation of silicon nitride nanowires but also their oxidation, forming the sheath of silicon oxynitride. The as-grown nanowires are of significance in facilitating complementary metal-oxide semiconductor-based nanodevice manufacturing. The photoluminescence spectra of the nanowires at 10Â K and 300Â K are also investigated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 53, Issue 8, October 2005, Pages 949-954
Journal: Scripta Materialia - Volume 53, Issue 8, October 2005, Pages 949-954
نویسندگان
Congkang Xu, Misuk Kim, Junghwan Chun, Dong Eon Kim, Bonghwan Chon, Sangsu Hong, Taiha Joo,