کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10639916 | 995788 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The uniformity of Al distribution in aluminum-doped zinc oxide films grown by atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The uniformity of Al distribution in aluminum-doped zinc oxide films grown by atomic layer deposition The uniformity of Al distribution in aluminum-doped zinc oxide films grown by atomic layer deposition](/preview/png/10639916.png)
چکیده انگلیسی
We investigated the aluminum distribution in aluminum-doped zinc oxide films grown by atomic layer deposition. Surface morphology, structure, composition and electrical properties of obtained films were studied. For the aluminum content less than 2 at.%, a periodicity of Al distribution along the layer depth was observed. This periodicity diminished significantly after annealing the samples in nitrogen atmosphere at 300 °C. For the Al content higher than 2 at.%, its distribution in ZnO:Al films was uniform within the depth measurement accuracy of â¼5-10 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 176, Issue 3, 25 February 2011, Pages 237-241
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 176, Issue 3, 25 February 2011, Pages 237-241
نویسندگان
G. Luka, L. Wachnicki, B.S. Witkowski, T.A. Krajewski, R. Jakiela, E. Guziewicz, M. Godlewski,