کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10640154 995873 2005 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metal-organic chemical vapor deposition of indium selenide films using a single-source precursor
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Metal-organic chemical vapor deposition of indium selenide films using a single-source precursor
چکیده انگلیسی
Indium selenide thin films have been deposited on glass, Si(1 0 0) and polycrystalline GaAs substrates from In[(SePiPr2)2N]2Cl precursor by aerosol-assisted (AA) and low-pressure (LP) metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). X-ray powder diffraction (XRPD) patterns of these films indicated the growth of hexagonal γ-In2Se3. The morphologies of films have been studied by scanning electron microscopy (SEM) and compositions have been determined by energy dispersive analysis of X-rays (EDAX) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 116, Issue 3, 15 February 2005, Pages 391-394
نویسندگان
, , ,