کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10640154 | 995873 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metal-organic chemical vapor deposition of indium selenide films using a single-source precursor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Indium selenide thin films have been deposited on glass, Si(1 0 0) and polycrystalline GaAs substrates from In[(SePiPr2)2N]2Cl precursor by aerosol-assisted (AA) and low-pressure (LP) metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). X-ray powder diffraction (XRPD) patterns of these films indicated the growth of hexagonal γ-In2Se3. The morphologies of films have been studied by scanning electron microscopy (SEM) and compositions have been determined by energy dispersive analysis of X-rays (EDAX) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 116, Issue 3, 15 February 2005, Pages 391-394
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 116, Issue 3, 15 February 2005, Pages 391-394
نویسندگان
Mohammad Afzaal, David Crouch, Paul O'Brien,