کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10642982 998179 2005 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Measurement of silicon and GaAs/Ge solar cells ac parameters
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی انرژی انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Measurement of silicon and GaAs/Ge solar cells ac parameters
چکیده انگلیسی
The ac parameters (cell capacitance and cell resistance) of Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs/Ge) solar cells are measured at different temperatures using time domain technique. The cell capacitance is calculated from the Open circuit voltage decay (OCVD) and the cell resistance from solar cell I-V characteristics measured under dark condition. It is observed that the solar cell capacitance increases whereas the cell resistance decreases with increase in temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 78, Issue 1, January 2005, Pages 1-4
نویسندگان
, ,