کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10642982 | 998179 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Measurement of silicon and GaAs/Ge solar cells ac parameters
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The ac parameters (cell capacitance and cell resistance) of Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs/Ge) solar cells are measured at different temperatures using time domain technique. The cell capacitance is calculated from the Open circuit voltage decay (OCVD) and the cell resistance from solar cell I-V characteristics measured under dark condition. It is observed that the solar cell capacitance increases whereas the cell resistance decreases with increase in temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 78, Issue 1, January 2005, Pages 1-4
Journal: Solar Energy - Volume 78, Issue 1, January 2005, Pages 1-4
نویسندگان
M.P. Deshmukh, J. Nagaraju,