کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10644539 | 999625 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
PDECB-based approach to radical-beam epitaxy of high-quality cubic GaN and AlN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: PDECB-based approach to radical-beam epitaxy of high-quality cubic GaN and AlN PDECB-based approach to radical-beam epitaxy of high-quality cubic GaN and AlN](/preview/png/10644539.png)
چکیده انگلیسی
A novel experimental approach to the growth of defect-free epitaxial films of (Al,Ga,Cr)N is being developed with the help of abinitio molecular orbital methods. Some key points to optimize the growth conditions were suggested by quantum chemical analyses of the surface radical reactions involved in the homoepitaxial growth of cubic group-III nitride under the supply of dimethylaluminumnitrene ((CH3)2AlN) or dimethylgalliumnitrene ((CH3)2GaN).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 44, Issue 1, November 2008, Pages 102-105
Journal: Computational Materials Science - Volume 44, Issue 1, November 2008, Pages 102-105
نویسندگان
Noriyoshi Omote, Daisuke Tanaka, Misato Kaneko, Tomoki Maruyama, Harumi Araki, Daisuke Matsumura, Keiji Hayashi,