کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10653104 | 1002724 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of dual floating gate memory devices constructed on glass
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The dual floating gate memory device shows a successful multi-state operation. ⺠Laterally separated regions are used embedded with Al nanoparticles as charge nodes. ⺠The memory device is programmed by the F-N tunneling and CHE injection method. ⺠Four different states are achieved through operating the memory.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 151, Issue 2, January 2011, Pages 151-154
Journal: Solid State Communications - Volume 151, Issue 2, January 2011, Pages 151-154
نویسندگان
Sungsu Kim, Kyoungah Cho, Sangsig Kim,