کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10653214 | 1002850 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Amorphization of Si (100) under O+ implantation studied by spectroscopic ellipsometry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The amorphization of crystalline Si (100) under 125Â keV O+ ion implantation is investigated in the fluence range 1Ã1014Â ions/cm2 to 1Ã1016Â ions/cm2. The microstructure of the O+ implanted Si is modeled from ellipsometric data using a two phase, multilayer model within Bruggeman effective medium approximation (BEMA). The transition from the crystalline to the amorphous phase is found to be smooth and progressive. From a detailed analysis of the moments of the dielectric spectra and laser Raman spectroscopy, we infer that the amorphization occurs through a progressive disruption of long-range order caused by the overlap of amorphous nanozones. The dielectric spectrum of the fully amorphous phase is characterized using the Forouhi-Bloomer interband model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 133, Issue 12, March 2005, Pages 801-806
Journal: Solid State Communications - Volume 133, Issue 12, March 2005, Pages 801-806
نویسندگان
R. Prabakaran, G. Raghavan, S. Tripura Sundari, R. Kesavamoorthy,