کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10653318 | 1002866 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhancement of the upper critical field of MgB2 by carbon-doping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have measured the temperature dependence of the upper critical field, Hc2(T), of carbon-doped MgB2. Hc2(T) does not follow the well-known Werthamer-Helfand-Hohenberg (WHH) result for a one-gap dirty superconductor but can be described well by the result of a recent theoretical calculation for a two-gap dirty superconductor. Hc2(0) of the carbon-doped material is determined to be between 29 and 38Â T, substantially higher than that of pure MgB2 (15-23Â T).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 136, Issue 5, November 2005, Pages 278-282
Journal: Solid State Communications - Volume 136, Issue 5, November 2005, Pages 278-282
نویسندگان
Xiaosheng Huang, William Mickelson, B.Christopher Regan, Alex Zettl,