کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10653835 | 1002917 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Survey of intermediate band material candidates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Survey of intermediate band material candidates Survey of intermediate band material candidates](/preview/png/10653835.png)
چکیده انگلیسی
A systematic ab initio study, using the local spin density approximation, of the electronic properties of GaxPyM compounds, where M is a transition metal substituting Ga or P atoms in a GaP host semiconductor lattice is presented. This study is oriented towards the early identification of intermediate band materials of recent interest as new photovoltaic materials to exceed the efficiency of single gap and even tandems of two solar cells. M=Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Zn have been explored as transition metals and Sc, V, Cr, and Fe in Ga32P31M and Cr in Ga31P32M have exhibited the desired intermediate band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 133, Issue 2, January 2005, Pages 97-101
Journal: Solid State Communications - Volume 133, Issue 2, January 2005, Pages 97-101
نویسندگان
C. Tablero,