کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10655516 | 1005169 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimizing thermoelectric performance of Cd-doped β-Zn4Sb3 through self-adjusting carrier concentration
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠A simple melting-slow cooling technique was employed to prepare Zn4Sb3 ingots. ⺠The facile control of Zn realizes the effective self-adjustment of carrier density. ⺠A highest ZT of 1.23 at 660 K is obtained for the Zn3.91Cd0.04Sb3 sample. ⺠The high ZT mainly stems from the large mâ by Cd-doping and very low κL.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Intermetallics - Volume 19, Issue 12, December 2011, Pages 1823-1830
Journal: Intermetallics - Volume 19, Issue 12, December 2011, Pages 1823-1830
نویسندگان
Shanyu Wang, Fan Fu, Xiaoyu She, Gang Zheng, Han Li, Xinfeng Tang,