کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10673053 | 1010196 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Prevention of hillock formation during micro-machining of silicon by using OTS-SAM and SiO2 coatings
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی صنعتی و تولید
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The feasibility of using a dual coating system consisting of SiO2 and OTS-SAM thin films on the micro-machining characteristics of silicon wafer were investigated with the aim to eliminate the formation of undesirable hillocks. The outermost OTS-SAM coating was used as a sacrificial layer to pattern the SiO2 film, which in turn served to pattern the silicon substrate. After selectively removing the OTS-SAM coating by micro-machining, HF and KOH chemical etching processes followed to remove the SiO2 layer and create patterns on the silicon substrate. By this process, groove patterns of about 1 μm width could be successfully fabricated on a silicon wafer without the formation of undesirable hillocks.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: CIRP Annals - Volume 59, Issue 1, 2010, Pages 259-262
Journal: CIRP Annals - Volume 59, Issue 1, 2010, Pages 259-262
نویسندگان
T-S. Oh, H-J. Kim, D-E. Kim,