کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10673620 | 1010258 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nano-scale scratching in chemical-mechanical polishing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی صنعتی و تولید
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
During chemical-mechanical polishing (CMP) in the fabrication of advanced semiconductor devices, undesirable nano-scale scratches are produced, especially in the presence of low-k dielectrics. In this paper, the lower- and upper-bound loads for scratching are estimated by contact mechanics models and are validated by AFM experiments. Additionally, the width and depth of scratches are related to such process parameters as: particle size, abrasive volume fraction, mechanical and geometric properties of the pad and surface coatings, and polishing pressure. The upper-limit for scratch width is found to be a function of the particle size and the hardnesses of the coatings and the pad. In Cu CMP this limit is about one-fifth of the abrasive diameter.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: CIRP Annals - Volume 57, Issue 1, 2008, Pages 341-344
Journal: CIRP Annals - Volume 57, Issue 1, 2008, Pages 341-344
نویسندگان
N. Saka, T. Eusner, J.-H. Chun,