کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10674436 | 1010317 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling and mitigation of pad scratching in chemical-mechanical polishing
ترجمه فارسی عنوان
مدل سازی و کاهش زلزله های پدری در درمان های شیمیایی و مکانیکی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کاستی، پرداخت نیمه هادی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی صنعتی و تولید
چکیده انگلیسی
In the chemical-mechanical polishing (CMP) of semiconductor structures, such defects as micro- and nano-scale scratches are frequently produced on the surfaces being polished. Recent research shows that not only agglomerated abrasives but the softer pad asperities in frictional contact also scratch the relatively hard surfaces. Accordingly, pad scratching is modeled based on the topography and mechanical properties of pad asperities. Asperity radius, Ra, and the standard deviation of asperity heights, Ïz, are identified as the key topographical parameters. The theoretical models and experimental results show that pad scratching in CMP can be mitigated by increasing Ra/Ïz.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: CIRP Annals - Volume 62, Issue 1, 2013, Pages 307-310
Journal: CIRP Annals - Volume 62, Issue 1, 2013, Pages 307-310
نویسندگان
S. Kim, N. Saka, J.-H. Chun, S.-H. Shin,