کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10676259 | 1011292 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microstructural and electrical studies on diamond films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
X-ray diffraction, atomic force microscopy and electrical studies were performed on 2-3 μm thick diamond films on silicon substrates. The films were produced by the microwave plasma chemical vapour deposition method. The films were polycrystalline having a grain size of 32.1 nm. From room temperature current-voltage measurements, it was found that the charge transport mechanism was due to the thermionic emission over the potential barrier of 1.3 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 77, Issue 3, 18 February 2005, Pages 231-235
Journal: Vacuum - Volume 77, Issue 3, 18 February 2005, Pages 231-235
نویسندگان
S. Chaure, N.B. Chaure, A.K. Hassan, A.K. Ray, H.S. Reehal, A. Ghermazion, R. Capan,