کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10710465 | 1024697 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical study of the magnetoresistance under electric field in III-V diluted magnetic semiconductor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper we study the magnetoresistance and the coupling energy in heterostructures formed by two magnetic layers Ga1âxMnxAs separated by a nonmagnetic spacer GaAs under an electric field and develop a mean-field theory of carrier in diluted magnetic semiconductor. Our main result indicates that magnetoresistance can be dramatically suppressed by an external electric field.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 293, Issue 1, May 2005, Pages 215-219
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 293, Issue 1, May 2005, Pages 215-219
نویسندگان
Hassen Dakhlaoui, Sihem Jaziri,