کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10710465 1024697 2005 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical study of the magnetoresistance under electric field in III-V diluted magnetic semiconductor
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Theoretical study of the magnetoresistance under electric field in III-V diluted magnetic semiconductor
چکیده انگلیسی
In this paper we study the magnetoresistance and the coupling energy in heterostructures formed by two magnetic layers Ga1−xMnxAs separated by a nonmagnetic spacer GaAs under an electric field and develop a mean-field theory of carrier in diluted magnetic semiconductor. Our main result indicates that magnetoresistance can be dramatically suppressed by an external electric field.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 293, Issue 1, May 2005, Pages 215-219
نویسندگان
, ,