دانلود مقالات ISI درباره مقاومت مغناطیسی + ترجمه فارسی

مقاومت مغناطیسی(به انگلیسی: Magnetoresistance) یک مقاومت است که مقاومت الکتریکی آن زمانی که میدان مغناطیسی خارجی اعمال می شود، تغییر می کند. کاربردهای مقاومتی مغناطیسی برنامه های کاربردی مختلف به عنوان دستگاه های سنجش میدان مغناطیسی ممکن است، برنامه های کاربردی شامل به عنوان مثال: قطب نمای الکترونیکی اندازه گیری میدان مغناطیسی و شدت میدان مغناطیسی سنسورهای موقعیت ■سنسور موقعیت زاویه ■سنسورهای زاویه چرخشی ■سنسورهای موقعیتی خطی تشخیص فلزات آهنی ■خودرو و تشخیص ترافیک مقاومت مغناطیسی، مشابه مقاومت در یک چرخه الکتیریکی می‌باشد (با این تفاوت که مقاومت مغناطیسی از انرژی مغناطیسی نمی‌کاهد). مشابه طریقه‌ای که میدان الکتیریکی باعث به جریان افتادن جریان الکتیریکی در مسیری با کمترین مقاومت می‌شود، میدان مغناطیسی باعث جریان افتادن جریان مغناطیسی در مسیری با کمترین مقاومت می‌شود. عدد مربوط به مقاومت الکتریکی، مقداری بسیط می‌باشد. مقدار مقاومت کلی برابر با نسیت (MMF)در چرخهٔ مغناطیسی غیر فعال و جریان مغناطیسی در این چرخه می‌باشد. در میدان AC، مقاومت نسبت مقادیر دامنه‌ای برای MMF سینوسی و جریان مغناطیسی می‌باشد. می‌توان آن را به صورت زیر نیز نشان داد: R = F Φ {\displaystyle {\mathcal {R}}={\frac {\mathcal {F}}{\Phi }}} که در آن R مقاومت آمپر-دورها در هر وبر (واحدی که برابر است با دورها در هر هنری) می‌باشد. همان گونه که در معادلات مکس ول توضیح داداه شد، جریان مغناطیسی همواره یک حلقهٔ بسته تشکیل می‌دهد، اما مسیر حلقه بستگی به مقاومت مواد بیرونی د ارد. جریان مغناتتیسی حول مسیری تمرکز می‌یابد که کمترین مقاومت را داشته باشد. هوا و خلاء مقاومت بالایی از خود نشان می‌دهند، در حال که موادی که به آسانی تبدیل به آهن‌ربا می‌شوند؛ مانند، آهن نرم، مقاومت پایینی دارند. تمرکز جریان در موادی که مقاومت پایینی دارند قطبب‌های موقتی نیرومندی تشکیل می‌دهد و باعث می‌شوند نیروهای مکانیکی موجب حرکت اشیاء به طرف نواحی شوند که دارای جریان بیشتری هستند؛ بنابراین، این نیرو همواره مورد توجه بوده است. معکوس مقاومت رسانایی نام دارد: P = 1 R {\displaystyle {\mathcal {P}}={\frac {1}{\mathcal {R}}}} واحد رسانایی در SI هنری (همانند واحد خود القایی، با اینکه دو مفهوم جداگانه هستند) می‌باشد. اصول میکروسکوپیک مقاومت مقاومت چرخهٔ مغناطیسیی عنصری که با قوهٔ مغناطیسی یکدست شده است، می‌تواند به طریق زیر به دست آید: R = l μ A {\displaystyle {\mathcal {R}}={\frac {l}{\mu A}}} که در آن طول ماده مورد نظر در واحد متر است µ=r µ µ۰ نفوذ پذیری ماده مورد نظر(rµ نفوذپذیری نسبی ماده (بی بعد)، و ۰µ نفوذپذیری فضای خالی می‌باشد) A سطح مقطع عرضی چرخهٔ مورد نظر در متر مربع می‌باشد. معادلهٔ فوق مشابه معادله مقاومت الکتیریکی در مواد می‌باشد، به همراه نفوذ پذیری که مانند رسانایی می‌باشد؛ نقطه مقابل نفوذ پذیری، مقاومت مغناطیسی بوده و مشابه مقاومت الکتیریکی می‌باشد. اشکال هندسی درازتر و نازکتر که نفوپذیری کمتری دارند داری مقاومت بالایی نیز هستند. مقاومت پایین، مانند مقاوت پایین در چرخه‌های الکتیریکی، عموماً ترجیح داده می‌شوند. مشخصات مقاومت مغناطیسی مقاومت مغناطیسی از اثر مهتابی مقاومت می کند. این اثر ابتدا در سال 1856 توسط ویلیام تامسون، همچنین به نام لرد کلوین شناخته شد. اثر در مواد فرومغناطیسی دیده می شود و وابسته به قدرت میدان مغناطیسی و زاویه بین جهت جریان الکتریکی و میدان مغناطیسی است. بنابراین این اثر به عنوان magnetoresistance (anisotropic magnetoresistance) شناخته می شود (AMR). دیگر اثرات مغناطیسی که اخیرا کشف شده اند، اثرات مغناطیسی غول پیکر (GMR)، اثرات مغناطیسی کولوسال (CMR) و اثر مهاری مقاومت تونل (TMR) است. از آنجا که اکثر مقاومتهای مغناطیسی معمولی از اثر AMR استفاده می کنند، اثرات دیگر در این مقاله مورد بحث نمی باشد. Permalloy، یک آلیاژ 81٪ نیکل (Ni) و 19٪ آهن (Fe) دارای مقاومت مغناطیسی بالا و همچنین یک مغناطیس کم (تغییر اندازه به علت میدان مغناطیسی) است و از این رو مواد مورد علاقه برای مقاومت مغناطیسی است. مقاومت مغناطیسی اغلب از فیلم های طولانی نازک از permalloy ساخته می شود. برای افزایش حساسیت یک مقاومت مغناطیسی permalloy، میله های اتصال از آلومینیوم یا طلا بر روی فیلم های permallow نازک تحت زاویه 45 درجه قرار می گیرد. این جریان جریان را در جهت 45 درجه نسبت به طول فیلم جریان می دهد. این پیکربندی حلقه سلمانی نامیده می شود