کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5464308 | 1517427 | 2017 | 50 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Recent progress in voltage control of magnetism: Materials, mechanisms, and performance
ترجمه فارسی عنوان
پیشرفت اخیر در کنترل ولتاژ مغناطیس: مواد، مکانیزم ها و عملکرد
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
AFMBaTiO3PLDXANESSrTiO3CoFe2O4MFMTMREELSHAADFTMPAXLDFETAHEEDLGMRnFOBTOVCMPTOPCMOTFSIEMIMXMCDBiFeO3BFONiFe2O4PbTiO3MRAMSROMTJY3Fe5O12PMN-PTLaAlO3LSMOSTOSrRuO3PEEMDensities of statesYMnO3X-ray linear dichroismSTT-MRAMLCMOCFOHEBLa1−xCaxMnO3La1−xSrxMnO3MPPRPZT1-ethyl-3-methylimidazolium - 1-اتیل-3-methylimidazolium2-DEG - 2 شماABIM - ABPerpendicular magnetic anisotropy - Anisotropy مغناطیسی عمودیAntiferromagnetic - antiferromagneticXAS - HASPMA - LDC هاALD - آدرنولکودیستروفیMagnetic tunnel junction - اتصال تونل مغناطیسیMagnetoelectric coupling - اتصال مغناطیسی الکتریکیSpin Hall effect - اثر اسپین هالAnomalous Hall effect - اثر هال ناحیهSpintronics - اسپینترونیک، اسپینالکترونیکX-ray magnetic circular dichroism - اشعه X اشعه ماوراء بنفش دایره ای دایره ایSOT - امروزSHE - اوPolyethylene oxide - اکسید پلی اتیلنMAE - بلهMagnetic anisotropy - بی نهایت مغناطیسیMagnetocrystalline anisotropy - بی نهایت مغناطیسی کریستالیMagneto-optic Kerr effect - تأثیر مغناطیسی اپتیک کرField-effect transistor - ترانزیستور میدان اثرoxygen vacancies - جای خالی اکسیژنX-ray absorption near edge structure - جذب اشعه ایکس در نزدیکی ساختار لبهMOKE - جریمهPup - خروسDOS - داسTER - داشتنSuperconducting quantum interference device - دستگاه تداخل کوانتومی ابررساناTemperature - دماCurie temperature - دمای کوریElectric double layer - دو لایه الکتریکیAtomic layer deposition - رسوب لایه اتمیHigh angle annular dark field - زاویه دار زاویه دار تیرهCoercive field - زمینه اجباریStem - ساقهScreening length - طول نمایشX-ray absorption spectroscopy - طیف سنجی جذب اشعه ایکسEELS, electron energy loss spectroscopy - طیف نگاری الکترونی افت انرژیFerroelectric - فروالکتریکFerromagnetic - فرومغناطیس polarization - قطبشLAO - لاوPulsed laser deposition - لایهنشانی یا رسوبنشانی به کمک لیزر پالسی یا سایش لیزریPotential barrier - مانع بالقوهSquid - ماهی مرکب، سرپاور، اسکوئیدIonic liquid - مایع یونیSaturated magnetization - مغناطیس اشباع شدهMagnetoresistance - مقاومت مغناطیسیTunnel magnetoresistance - مقاومت مغناطیسی تونلGiant magnetoresistance - مقاومت مغناطیسی غول پیکرExchange bias field - میدان تعادل بورسPhotoemission electron microscopy - میکروسکوپ الکترونی PhotemissionSTEM, scanning transmission electron microscopy - میکروسکوپ الکترونی عبوری روبشیMagnetic force microscopy - میکروسکوپ نیروی مغناطیسیHeavy metal - هوی متال، فلز سنگینGate voltage - ولتاژ دروازهPEO - پیوTwo dimensional electron gas - گاز دو بعدی الکترونMagnetic moment - گشتاور مغناطیسیYig - یگ
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Voltage control of magnetism (VCM) is attracting increasing interest and exciting significant research activity driven by its profound physics and enormous potential for application. This review article aims to provide a comprehensive review of recent progress in VCM in different thin films. We first present a brief summary of the modulation of magnetism by electric fields and describe its discovery, development, classification, mechanism, and potential applications. In the second part, we focus on the classification of VCM from the viewpoint of materials, where both the magnetic medium and dielectric gating materials, and their influences on magnetic modulation efficiency are systematically described. In the third part, the nature of VCM is discussed in detail, including the conventional mechanisms of charge, strain, and exchange coupling at the interfaces of heterostructures, as well as the emergent models of orbital reconstruction and electrochemical effect. The fourth part mainly illustrates the typical performance characteristics of VCM, and discusses, in particular, its promising application for reducing power consumption and realizing high-density memory in several device configurations. The present review concludes with a discussion of the challenges and future prospects of VCM, which will inspire more in-depth research and advance the practical applications of this field.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Progress in Materials Science - Volume 87, June 2017, Pages 33-82
Journal: Progress in Materials Science - Volume 87, June 2017, Pages 33-82
نویسندگان
Cheng Song, Bin Cui, Fan Li, Xiangjun Zhou, Feng Pan,