کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7701809 1496840 2015 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Annealing and doping-dependent magnetoresistance in single layer poly(3-hexyl-thiophene) organic semiconductor device
ترجمه فارسی عنوان
آنیلینگ و منگنزپردازنده وابسته به دوپینگ در دستگاه نیمه هادی آلی پلی (3-هگزیل-تیوفن) تک لایه
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
In a single Au/P3HT(350 nm)/Al device under different forward drive conditions, the negative MC response at high current densities displays an ∼1 order of magnitude increase after annealing above the glass transition temperature of P3HT. After 60 min re-doping through photo-oxidization the low current density MC is obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 17, February 2015, Pages 51-56
نویسندگان
, , , , , , ,