کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10727059 | 1037450 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theory of the integer quantum Hall effect in graphene
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Quantum Hall resistivity formula is derived from the zero-mass Dirac model. ⺠The formula agrees with the graphene experiment perfectly. ⺠No existing theories can explain the experiment quantitatively. ⺠The electron reservoir hypothesis is adopted. ⺠Mechanism of the electron reservoir is clarified for the first time.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 376, Issue 4, 9 January 2012, Pages 616-619
Journal: Physics Letters A - Volume 376, Issue 4, 9 January 2012, Pages 616-619
نویسندگان
Tadashi Toyoda, Chao Zhang,