کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10727352 | 1037530 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tunable quantum capacitance and magnetic oscillation in bilayer graphene device
ترجمه فارسی عنوان
خازن کوانتومی قابل تنظیم و نوسان مغناطیسی در دستگاه گرافن دوتایی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ظرفیت کوانتومی، گرافن بیلایر، میدان مغناطیسی، درگیری اسپینا،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
چکیده انگلیسی
We address the quantum capacitance of a bilayer graphene device in the presence of Rashba spin-orbit interaction (SOI) by applying external magnetic fields and interlayer biases. Quantum capacitance reflects the mixing of the spin-up and spin-down states of Landau levels and can be effectively modulated by the interlayer bias. The interplay between interlayer bias and Rashba SOI strongly affects magnetic oscillations. The typical beating pattern changes tuned by Rashba SOI strength, interlayer bias energy, and temperature are examined as well.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 377, Issue 41, 2 December 2013, Pages 2966-2969
Journal: Physics Letters A - Volume 377, Issue 41, 2 December 2013, Pages 2966-2969
نویسندگان
Chuan Liu, Jia-Lin Zhu,