کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10727849 | 1037751 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electric control of spin-dependent Goos-Hänchen shift in a magnetically modulated semiconductor nanostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We theoretically investigate how to manipulate spin-dependent Goos-Hänchen (GH) shifts by an applied bias in a realistic magnetic-barrier nanostructure, which is experimentally created by depositing a ferromagnetic stripe with perpendicular magnetization on the top of heterostructure. GH shifts of transmitted electron beams are calculated numerically with the help of the stationary phase method. It is shown that both magnitude and sign of spin polarization in GH shifts are closely relative to the applied bias, which can give rise to a bias-controllable spin beam splitter.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 377, Issue 38, 15 November 2013, Pages 2610-2613
Journal: Physics Letters A - Volume 377, Issue 38, 15 November 2013, Pages 2610-2613
نویسندگان
Yong-Hong Kong, Xi Fu, Sai-Yan Chen, Ai-Hua Li, Xiao-Lin Liang,