Transport properties in a line defect superlattice of graphene

اخیرا گزارش شده است که یک نوع خط نقص گرافن را می توان در یک روش تجربی کنترل کرد. در این مقاله، ساختار باند و خواص حمل و نقل الکترونی یک سوپر لایه گرافن که توسط جاسازی نقاط خطی دوره ای در شبکه گرافن شکل گرفته است، به صورت تئوری بررسی می شود. بر اساس نتایج محاسبه شده، ما پیشنهاد می کنیم که چنین سوپر لایه ای را می توان به عنوان یک آرایه سیم کوانتومی استفاده کرد که می تواند جریان بسیار بزرگتری را نسبت به یک نانوروبن گرافن منفرد حمل کند. مزیت قابل توجه این فوقالعاده روی دیگر سیمهای کوانتومی این است که انتقال الکترونیک در آن، به اثرات پراکندگی حساس نیست، مگر اینکه محدوده بالقوه پراکندگی کوچکتر از ثابت شبکه گرافن باشد. علاوه بر این، متوجه می شویم که ناهمسانگردی مخروطی دیراک که در این فوق لایه ارائه شده است دارای تأثیر غیرتیرایی بر هدایت کلی مرسوم و نویز گرافن زیر پواسونی است.