کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10728486 | 1038043 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of silica nanowire arrays by reaction of Si substrate with oxygen using Ga as catalyst
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Silica nanowire arrays were grown by oxidizing Si substrates with Ga catalyst in temperatures of 520-900â°C. The Si substrates, painted with a layer of molten Ga, were placed on a quartz boat, and heated up in a tube furnace. At high temperatures, Ga atoms condense into spheres, along with a small amount of silicon atoms. Si-O-Ga then formed on the surface of Ga-Si alloy sphere, and silica nanowire arrays were eventually grown with typical diameters of about 15-20 nm. A growth model based on extended vapor-liquid-solid mechanism is suggested.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 335, Issue 4, 14 February 2005, Pages 304-309
Journal: Physics Letters A - Volume 335, Issue 4, 14 February 2005, Pages 304-309
نویسندگان
Lun Dai, L.P. You, X.F. Duan, W.C. Lian, G.G. Qin,